1、极限参数电源电压 VDD -0.3~5.5 V磁场强度 B 无限制 Gauss工作环境温度 TA -40~150 ℃存储环境温度 Ts -50~160 ℃ESD(HBM) 6000 V

3、磁参数工作点 BOP 25 ℃ - ±20 - 高斯(Gauss)释放点 BRP 25 ℃ - ±15 - 高斯(Gauss)迟滞 BHYS 25 ℃ - 5 - 高斯(Gauss)

时间:2024-10-20 13:04:43
1、极限参数电源电压 VDD -0.3~5.5 V磁场强度 B 无限制 Gauss工作环境温度 TA -40~150 ℃存储环境温度 Ts -50~160 ℃ESD(HBM) 6000 V
3、磁参数工作点 BOP 25 ℃ - ±20 - 高斯(Gauss)释放点 BRP 25 ℃ - ±15 - 高斯(Gauss)迟滞 BHYS 25 ℃ - 5 - 高斯(Gauss)