1、第一步：确认客户极性， 选用N沟道还是P沟道 为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道第四步：散热要求考虑（封装） 建议设计人员必须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采吹涡皋陕用针对最坏情况的使 用情况，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。依照客户实际的使用环境 推荐合适的封装产品，封装越大散热效果就越好。在典型的功率应用中，当 一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开 关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到 总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于 对电压驱动的考虑
2、第二步：电压和电流的选择（VDS&ID) 额定电压越大，器件的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电 压。这样才能提供足够的保护，使MOSFET不 会失效。就选择MOSFET而言，必须确定漏 极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS.设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由 极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS.设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由 开关电子设备（如电机 或变压器）诱发的电压瞬变
4、 应用场合 背光升压电路、快充方案、户外LED、数码类产品、解码板电路等
